IPP65R099CFD7AAKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 431500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 260.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP65R099CFD7AAKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP65R099CFD7AAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 127W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7A SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPP65R099CFD7AAKSA1 за ціною від 170 грн до 493.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP65R099CFD7AAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP65R099CFD7AAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
на замовлення 569 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPP65R099CFD7AAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPP65R099CFD7AAKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP65R099CFD7AAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7A SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IPP65R099CFD7AAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-Channel MOSFET Transistor |
товар відсутній |
||||||||||||
|
|
IPP65R099CFD7AAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IPP65R099CFD7AAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |