Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP65R065C7XKSA1
IPP65R065C7XKSA1

IPP65R065C7XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IPP65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209a99d8f0281 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+474.94 грн
50+ 365.15 грн
100+ 326.7 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP65R065C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 171W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPP65R065C7XKSA1 за ціною від 337.06 грн до 635.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP65R065C7XKSA1 IPP65R065C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 3627ds_ipp65r065c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+612.23 грн
26+ 479.31 грн
50+ 451.11 грн
100+ 421.41 грн
200+ 387.5 грн
Мінімальне замовлення: 20
IPP65R065C7XKSA1 IPP65R065C7XKSA1 Виробник : INFINEON INFNS28169-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+635.6 грн
5+ 545.69 грн
10+ 455 грн
50+ 405.81 грн
100+ 358.51 грн
250+ 337.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP65R065C7XKSA1 IPP65R065C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 3627ds_ipp65r065c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP65R065C7XKSA1 IPP65R065C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 3627ds_ipp65r065c7_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP65R065C7XKSA1 IPP65R065C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R065C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 171W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP65R065C7XKSA1 IPP65R065C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP65R065C7_DS_v02_00_en-1731874.pdf MOSFETs Y
товар відсутній
IPP65R065C7XKSA1 IPP65R065C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R065C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 171W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній