Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP65R045C7XKSA1
IPP65R045C7XKSA1

IPP65R045C7XKSA1 Infineon Technologies

ds_ipp65r045c7_2_1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+400.98 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP65R045C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPP65R045C7XKSA1 за ціною від 409.06 грн до 937.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipp65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+594.53 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipp65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+699.67 грн
10+ 662.05 грн
25+ 656.84 грн
50+ 579.48 грн
100+ 490.15 грн
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipp65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+720.23 грн
Мінімальне замовлення: 17
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipp65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+748.02 грн
18+ 707.8 грн
25+ 702.23 грн
50+ 619.52 грн
100+ 524.03 грн
Мінімальне замовлення: 17
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IPP65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7942aa8701ff Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+783.11 грн
50+ 602.04 грн
100+ 538.67 грн
500+ 446.04 грн
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP65R045C7_DS_v02_01_en-3362976.pdf MOSFETs N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+842.96 грн
50+ 662.79 грн
100+ 515.9 грн
500+ 454.75 грн
1000+ 409.06 грн
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Виробник : INFINEON INFNS27211-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP65R045C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+937.48 грн
5+ 849.96 грн
10+ 762.44 грн
50+ 658.93 грн
100+ 577.15 грн
250+ 573.1 грн
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1
Код товару: 101820 		DS_IPP65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e78ea82013e7942aa8701ff Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies ds_ipp65r045c7_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R045C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP65R045C7XKSA1 IPP65R045C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R045C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній