IPP65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 550.92 грн |
| 50+ | 423.46 грн |
| 100+ | 378.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPP65R041CFD7XKSA1 за ціною від 275.1 грн до 779.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP65R041CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP65R041CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP65R041CFD7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP65R041CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IPP65R041CFD7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005413358 |
товар відсутній |