Технічний опис IPP60R750E6XKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 48W; PG-TO220-3, Mounting: THT, Power dissipation: 48W, Polarisation: unipolar, Technology: CoolMOS™ E6, Drain current: 5.7A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 600V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Case: PG-TO220-3, On-state resistance: 0.75Ω.
Інші пропозиції IPP60R750E6XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R750E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220 |
товар відсутній |
|
 |
IPP60R750E6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 48W; PG-TO220-3 Mounting: THT Power dissipation: 48W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ E6 Drain current: 5.7A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 0.75Ω |
товар відсутній |