на замовлення 1000 шт:
термін постачання 140-149 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 142.68 грн |
| 10+ | 86.49 грн |
| 100+ | 57.7 грн |
| 500+ | 49.34 грн |
| 1000+ | 40.2 грн |
| 2500+ | 37.81 грн |
| 5000+ | 35.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R600P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPP60R600P7XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R600P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|
 |
IPP60R600P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|
|
|
IPP60R600P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|
 |
IPP60R600P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 30W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A Power dissipation: 30W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IPP60R600P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|
|
|
IPP60R600P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 30W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A Power dissipation: 30W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |