Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP60R600P6XKSA1
IPP60R600P6XKSA1

IPP60R600P6XKSA1 Infineon Technologies

DS_IPx60R600P6_2_1.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
на замовлення 111633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
494+42.82 грн
Мінімальне замовлення: 494
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R600P6XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPP60R600P6XKSA1 за ціною від 51.01 грн до 51.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP60R600P6XKSA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS INFN-S-A0001299750-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R600P6XKSA1 - IPP60R600 - 600V, 0.6OHM, N-CHANEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 111633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
475+51.01 грн
Мінімальне замовлення: 475
IPP60R600P6XKSA1 IPP60R600P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IPx60R600P6_2_1.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681 Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товар відсутній