![IPP60R520E6XKSA1 IPP60R520E6XKSA1](https://media.digikey.com/Renders/Infineon%20Renders/TO-220-3.jpg)
IPP60R520E6XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R520E6XKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.1A; 66W; PG-TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ E6, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 8.1A, Power dissipation: 66W, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.52Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPP60R520E6XKSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP60R520E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPP60R520E6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.1A; 66W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.1A Power dissipation: 66W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
IPP60R520E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPP60R520E6XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPP60R520E6XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.1A; 66W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.1A Power dissipation: 66W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |