IPP60R360CFD7XKSA1

IPP60R360CFD7XKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IPP60R360CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fc7b033f30d49 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 600V TO220-3-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 23795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
286+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 286
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R360CFD7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R360CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.295 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPP60R360CFD7XKSA1 за ціною від 55.27 грн до 164.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP60R360CFD7XKSA1 IPP60R360CFD7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP60R360CFD7_DataSheet_v02_00_EN-3362862.pdf MOSFETs Y
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.29 грн
10+ 117.01 грн
100+ 80.84 грн
250+ 74.57 грн
500+ 67.39 грн
1000+ 58.12 грн
2500+ 55.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP60R360CFD7XKSA1 IPP60R360CFD7XKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0009651156-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R360CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.295 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+164.18 грн
10+ 118.05 грн
100+ 96.16 грн
500+ 74.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP60R360CFD7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r360cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP60R360CFD7XKSA1 IPP60R360CFD7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r360cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP60R360CFD7XKSA1 IPP60R360CFD7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp60r360cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP60R360CFD7XKSA1 IPP60R360CFD7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R360CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fc7b033f30d49 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolar; 650V; 5A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 43W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 674mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP60R360CFD7XKSA1 IPP60R360CFD7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP60R360CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fc7b033f30d49 Description: MOSFET 600V TO220-3-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товар відсутній
IPP60R360CFD7XKSA1 IPP60R360CFD7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R360CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fc7b033f30d49 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolar; 650V; 5A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 43W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 674mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
товар відсутній