![IPP60R299CPXKSA1 IPP60R299CPXKSA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4843/448_TO-220-3.jpg)
IPP60R299CPXKSA1 Infineon Technologies
![IPP60R299CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e4194498b](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 206.56 грн |
50+ | 157.92 грн |
100+ | 135.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R299CPXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPP60R299CPXKSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP60R299CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPP60R299CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPP60R299CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPP60R299CPXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 96W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.299Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
IPP60R299CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPP60R299CPXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 96W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.299Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |