IPP60R280CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 52W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.536Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R280CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 52W; PG-TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 6A, Power dissipation: 52W, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.536Ω, Mounting: THT, Gate charge: 18nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPP60R280CFD7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP60R280CFD7 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 52W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 52W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.536Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |