IPP60R280C6XKSA1

IPP60R280C6XKSA1 Infineon Technologies


2380280172146853infineon-ipi60r280c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a30432313ff5e0123a4.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
400+123.28 грн
Мінімальне замовлення: 400
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R280C6XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPP60R280C6XKSA1 за ціною від 93.48 грн до 210.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP60R280C6XKSA1 IPP60R280C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 2380280172146853infineon-ipi60r280c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a30432313ff5e0123a4.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
81+148.93 грн
Мінімальне замовлення: 81
IPP60R280C6XKSA1 IPP60R280C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies IPP60R280C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e01239de7a64a6f83 Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.36 грн
10+ 155.73 грн
100+ 125.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP60R280C6XKSA1 IPP60R280C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP60R280C6_DS_v02_03_EN-3165245.pdf MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO220-3 CoolMOS C6
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.74 грн
10+ 185.91 грн
100+ 126.51 грн
250+ 123 грн
500+ 93.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP60R280C6XKSA1 IPP60R280C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 2380280172146853infineon-ipi60r280c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a30432313ff5e0123a4.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP60R280C6XKSA1 IPP60R280C6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 2380280172146853infineon-ipi60r280c6-ds-v02_01-en.pdffileiddb3a30432313ff5e0123a4.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP60R280C6XKSA1 IPP60R280C6XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R280C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній