IPP60R180P7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 80+ | 152.05 грн |
| 96+ | 126.88 грн |
| 100+ | 120.83 грн |
| 200+ | 115.55 грн |
| 500+ | 97.1 грн |
| 1000+ | 92.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R180P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 72W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPP60R180P7XKSA1 за ціною від 61.07 грн до 169.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R180P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V |
на замовлення 8415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP60R180P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP60R180P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPP60R180P7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IPP60R180P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 72W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IPP60R180P7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 72W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 72W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |