Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP60R180CM8XKSA1
IPP60R180CM8XKSA1

IPP60R180CM8XKSA1 Infineon Technologies

Виробник: Infineon Technologies
Description: IPP60R180CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+144.22 грн
50+ 111.58 грн
100+ 91.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R180CM8XKSA1 Infineon Technologies

Description: IPP60R180CM8XKSA1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 142W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPP60R180CM8XKSA1 за ціною від 71.24 грн до 176.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP60R180CM8XKSA1 IPP60R180CM8XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP60R180CM8_DataSheet_v02_01_EN-3445916.pdf MOSFETs Y
на замовлення 500 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.11 грн
10+ 144.39 грн
100+ 99.46 грн
250+ 91.7 грн
500+ 83.24 грн
1000+ 71.24 грн
Мінімальне замовлення: 2