IPP60R180C7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 139.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R180C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPP60R180C7XKSA1 за ціною від 90.6 грн до 222.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R180C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V |
на замовлення 519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP60R180C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP60R180C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP60R180C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP60R180C7XKSA1 Код товару: 168211 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
IPP60R180C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPP60R180C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 68W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPP60R180C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 68W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |