Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP60R099P6XKSA1
IPP60R099P6XKSA1

IPP60R099P6XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipa60r099p6-ds-v02_01-en.pdffileid5546d461464245d301468f.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+387.74 грн
37+ 327.47 грн
50+ 275.23 грн
100+ 256.69 грн
Мінімальне замовлення: 32
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R099P6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPP60R099P6XKSA1 за ціною від 197.68 грн до 529.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP60R099P6XKSA1 IPP60R099P6XKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001299570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+490.42 грн
10+ 316.96 грн
100+ 216.83 грн
500+ 197.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP60R099P6XKSA1 IPP60R099P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r099p6-ds-v02_01-en.pdffileid5546d461464245d301468f.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+491.97 грн
10+ 428.99 грн
25+ 312.21 грн
100+ 288.25 грн
250+ 247.84 грн
500+ 226.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP60R099P6XKSA1 IPP60R099P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP60R099P6_DS_v02_01_EN-1731968.pdf MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+522.34 грн
10+ 438.9 грн
25+ 275.52 грн
100+ 269.9 грн
250+ 255.14 грн
500+ 239.67 грн
1000+ 200.31 грн
IPP60R099P6XKSA1 IPP60R099P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r099p6-ds-v02_01-en.pdffileid5546d461464245d301468f.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+529.81 грн
27+ 461.99 грн
36+ 336.23 грн
100+ 310.42 грн
250+ 266.91 грн
500+ 243.9 грн
Мінімальне замовлення: 23
IPP60R099P6XKSA1 IPP60R099P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipa60r099p6-ds-v02_01-en.pdffileid5546d461464245d301468f.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP60R099P6XKSA1 IPP60R099P6XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R099P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP60R099P6XKSA1 IPP60R099P6XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPA60R099P6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d461464245d301468f0e6251673a Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V
товар відсутній
IPP60R099P6XKSA1 IPP60R099P6XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R099P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній