IPP60R099C7XKSA1

IPP60R099C7XKSA1 Infineon Technologies


177infineon-ipp60r099c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d48.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+188.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP60R099C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPP60R099C7XKSA1 за ціною від 183.4 грн до 527.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP60R099C7XKSA1 IPP60R099C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 177infineon-ipp60r099c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d48.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+297.57 грн
10+ 280.52 грн
25+ 271.5 грн
50+ 259.19 грн
100+ 237.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP60R099C7XKSA1 IPP60R099C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 177infineon-ipp60r099c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d48.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
38+322.75 грн
41+ 304.25 грн
42+ 294.47 грн
50+ 281.13 грн
100+ 257.69 грн
Мінімальне замовлення: 38
IPP60R099C7XKSA1 IPP60R099C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP60R099C7_DS_v02_00_EN-1227380.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+334.12 грн
10+ 307.44 грн
25+ 261.7 грн
500+ 232.78 грн
1000+ 183.4 грн
IPP60R099C7XKSA1 IPP60R099C7XKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001299515-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+495.36 грн
10+ 355.3 грн
100+ 305.44 грн
500+ 247.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP60R099C7XKSA1 IPP60R099C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 177infineon-ipp60r099c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d48.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+527.95 грн
32+ 384.24 грн
50+ 341.43 грн
100+ 308.6 грн
200+ 269.36 грн
Мінімальне замовлення: 24
IPP60R099C7XKSA1 IPP60R099C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 177infineon-ipp60r099c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d48.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP60R099C7XKSA1 IPP60R099C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 177infineon-ipp60r099c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d48.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP60R099C7XKSA1 IPP60R099C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 177infineon-ipp60r099c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d48.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP60R099C7XKSA1 IPP60R099C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R099C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 110W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 110W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP60R099C7XKSA1 IPP60R099C7XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP60R099C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d481216877004 Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
товар відсутній
IPP60R099C7XKSA1 IPP60R099C7XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R099C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 110W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 110W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній