![IPP60R099C7XKSA1 IPP60R099C7XKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/2/12/4/53/36/143/smn_/manual/600v_p7_to220.png_1751746605.jpg)
IPP60R099C7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 188.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R099C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPP60R099C7XKSA1 за ціною від 183.4 грн до 527.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP60R099C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R099C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R099C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R099C7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R099C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP60R099C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
IPP60R099C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IPP60R099C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IPP60R099C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 110W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 110W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IPP60R099C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IPP60R099C7XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 110W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 110W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |