IPP60R060C7XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 427.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP60R060C7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP60R060C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 162W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPP60R060C7XKSA1 за ціною від 234.19 грн до 703.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R060C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V |
на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP60R060C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
на замовлення 998 шт: термін постачання 140-149 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP60R060C7XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP60R060C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 162W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP60R060C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP60R060C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IPP60R060C7XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |