![IPP50R399CPXKSA1 IPP50R399CPXKSA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/bb82423600c0a4dd34133de82a8f24a3f331b45d/p-pg-to220-3-1to-2203pin.jpg)
IPP50R399CPXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 41.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP50R399CPXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPP50R399CPXKSA1 за ціною від 63.88 грн до 88.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP50R399CPXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 83W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 9A Power dissipation: 83W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.399Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
![]() |
IPP50R399CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
IPP50R399CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
IPP50R399CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
![]() |
IPP50R399CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IPP50R399CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IPP50R399CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |