IPP50R250CPXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP50R250CPXKSA1 Infineon Technologies
Description: LOW POWER_LEGACY, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 114W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPP50R250CPXKSA1 за ціною від 85.05 грн до 220.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP50R250CPXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO220-3 Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Kind of package: tube Power dissipation: 114W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP50R250CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP50R250CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP50R250CPXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO220-3 Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Kind of package: tube Power dissipation: 114W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 482 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP50R250CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 550V 13A TO220-3 |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IPP50R250CPXKSA1 Код товару: 185293 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
IPP50R250CPXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: LOW POWER_LEGACY Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V |
товар відсутній |