IPP330P10NMAKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 228.42 грн |
| 50+ | 174.48 грн |
| 100+ | 149.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP330P10NMAKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP330P10NMAKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0271 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0271ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPP330P10NMAKSA1 за ціною від 127.65 грн до 441.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP330P10NMAKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0271 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0271ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005343871 |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
P Channel Power Mosfet |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
P Channel Power Mosfet |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
P Channel Power Mosfet |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPP330P10NMAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
P Channel Power Mosfet |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IPP330P10NMAKSA1 Код товару: 192733 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|