IPP139N08N3GXKSA1

IPP139N08N3GXKSA1 Infineon Technologies


INFN-S-A0001299567-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
на замовлення 632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
632+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 632
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP139N08N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP139N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0118 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 45, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 79, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0118, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPP139N08N3GXKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP139N08N3GXKSA1 IPP139N08N3GXKSA1 Виробник : INFINEON 1668960.pdf Description: INFINEON - IPP139N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0118 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 45
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0118
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IPP139N08N3GXKSA1 IPP139N08N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d4624fb7fef.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній