![IPP12CN10LGXKSA1 IPP12CN10LGXKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/2/12/4/53/36/143/smn_/manual/600v_p7_to220.png_1751746605.jpg)
IPP12CN10LGXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 51.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP12CN10LGXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP12CN10LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 69 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.84V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0099ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPP12CN10LGXKSA1 за ціною від 51.58 грн до 176.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 214000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.84V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0099ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; 125W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 69A Power dissipation: 125W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 50 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IPP12CN10LGXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; 125W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 69A Power dissipation: 125W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |