IPP126N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.8 грн |
| 500+ | 109.12 грн |
| 1000+ | 66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP126N10N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 46A, 10V, Power Dissipation (Max): 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IPP126N10N3GXKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP126N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
IPP126N10N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
IPP126N10N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO220-3 Polarisation: unipolar Power dissipation: 94W Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 58A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
IPP126N10N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO220-3 Polarisation: unipolar Power dissipation: 94W Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 58A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: PG-TO220-3 On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: THT |
товар відсутній |