![IPP120P04P4L03AKSA2 IPP120P04P4L03AKSA2](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/48/43/17915/smn_/manual/pg-to220-3-1.jpg_472149771.jpg)
на замовлення 4853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 118.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP120P04P4L03AKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP120P04P4L03AKSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPP120P04P4L03AKSA2 за ціною від 107.64 грн до 339.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP120P04P4L03AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 42500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPP120P04P4L03AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 18658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPP120P04P4L03AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 18656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPP120P04P4L03AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPP120P04P4L03AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPP120P04P4L03AKSA2 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IPP120P04P4L03AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
IPP120P04P4L03AKSA2 Код товару: 203742 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
IPP120P04P4L03AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IPP120P04P4L03AKSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |