IPP111N15N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 99.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP111N15N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP111N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPP111N15N3GXKSA1 за ціною від 115.38 грн до 369.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP111N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP111N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP111N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP111N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP111N15N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP111N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP111N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP111N15N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO220-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A On-state resistance: 11.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 214W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO220-3 |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP111N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP111N15N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO220-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A On-state resistance: 11.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 214W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO220-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 228 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPP111N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 83A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V |
на замовлення 4022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPP111N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |