Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP100N04S204AKSA2
IPP100N04S204AKSA2

IPP100N04S204AKSA2 Infineon Technologies

IPx100N04S2-04.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
221+97.25 грн
Мінімальне замовлення: 221
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP100N04S204AKSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IPP100N04S204AKSA2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPP100N04S204AKSA2 IPP100N04S204AKSA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b100n04s2-04_green.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP100N04S204AKSA2 IPP100N04S204AKSA2 Виробник : Infineon Technologies IPx100N04S2-04.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товар відсутній
IPP100N04S204AKSA2 IPP100N04S204AKSA2 Виробник : Infineon Technologies IPx100N04S2-04.pdf MOSFET N-CHANNEL_30/40V
товар відсутній