IPLU300N04S41R1XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12090 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 141.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPLU300N04S41R1XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPLU300N04S41R1XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 830 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPLU300N04S41R1XTMA1 за ціною від 127.64 грн до 283.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPLU300N04S41R1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12090 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPLU300N04S41R1XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPLU300N04S41R1XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 830 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPLU300N04S41R1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 5670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPLU300N04S41R1XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPLU300N04S41R1XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 830 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 830µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPLU300N04S41R1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPLU300N04S41R1XTMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
IPLU300N04S41R1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPLU300N04S41R1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPLU300N04S41R1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товар відсутній |