Продукція > INFINEON > IPLK80R900P7ATMA1
IPLK80R900P7ATMA1

IPLK80R900P7ATMA1 INFINEON


3629122.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 54W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.77ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+68.28 грн
500+ 53.81 грн
1000+ 44.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPLK80R900P7ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPLK80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 54W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.77ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPLK80R900P7ATMA1 за ціною від 36.9 грн до 122.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPLK80R900P7ATMA1 IPLK80R900P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPLK80R900P7_DataSheet_v02_01_EN-3362468.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.52 грн
10+ 90.53 грн
100+ 60.87 грн
500+ 51.66 грн
1000+ 41.47 грн
2500+ 40.84 грн
5000+ 36.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPLK80R900P7ATMA1 IPLK80R900P7ATMA1 Виробник : INFINEON 3629122.pdf Description: INFINEON - IPLK80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+122.21 грн
10+ 93.04 грн
100+ 68.28 грн
500+ 53.81 грн
1000+ 44.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPLK80R900P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPLK80R900P7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e1bd6c02c8 SP001821782
товар відсутній
IPLK80R900P7ATMA1 IPLK80R900P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPLK80R900P7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e1bd6c02c8 Description: MOSFET 800V TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
товар відсутній
IPLK80R900P7ATMA1 IPLK80R900P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPLK80R900P7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e1bd6c02c8 Description: MOSFET 800V TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
товар відсутній