Продукція > INFINEON > IPLK80R2K0P7ATMA1
IPLK80R2K0P7ATMA1

IPLK80R2K0P7ATMA1 INFINEON

3629119.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+51.21 грн
500+ 36.37 грн
1000+ 31.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPLK80R2K0P7ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPLK80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 28W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPLK80R2K0P7ATMA1 за ціною від 31.16 грн до 101.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPLK80R2K0P7ATMA1 IPLK80R2K0P7ATMA1 Виробник : INFINEON 3629119.pdf Description: INFINEON - IPLK80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+92.25 грн
12+ 70.83 грн
100+ 51.21 грн
500+ 36.37 грн
1000+ 31.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPLK80R2K0P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPLK80R2K0P7_DataSheet_v02_01_EN-3164783.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+101.63 грн
10+ 89.76 грн
100+ 60.63 грн
500+ 49.06 грн
1000+ 38.75 грн
5000+ 36.1 грн
10000+ 35.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPLK80R2K0P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPLK80R2K0P7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e19e8402a3 SP001821796
товар відсутній
IPLK80R2K0P7ATMA1 IPLK80R2K0P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPLK80R2K0P7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e19e8402a3 Description: MOSFET 800V TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
товар відсутній
IPLK80R2K0P7ATMA1 IPLK80R2K0P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPLK80R2K0P7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e19e8402a3 Description: MOSFET 800V TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
товар відсутній