Продукція > INFINEON > IPLK80R1K4P7ATMA1
IPLK80R1K4P7ATMA1

IPLK80R1K4P7ATMA1 INFINEON

3629118.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+54.96 грн
500+ 43.27 грн
1000+ 35.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPLK80R1K4P7ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPLK80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 37W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPLK80R1K4P7ATMA1 за ціною від 35.72 грн до 134.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPLK80R1K4P7ATMA1 IPLK80R1K4P7ATMA1 Виробник : INFINEON 3629118.pdf Description: INFINEON - IPLK80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+99.29 грн
11+ 75.6 грн
100+ 54.96 грн
500+ 43.27 грн
1000+ 35.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPLK80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.16 грн
10+ 119.42 грн
100+ 80.84 грн
500+ 66.62 грн
Мінімальне замовлення: 3