![IPL65R460CFDAUMA1 IPL65R460CFDAUMA1](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/4E/FB/60/00/1/442340_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=4403a6a67d4c296341bd46aefcaf7c1bd758aed7)
IPL65R460CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
![IPL65R460CFD-DTE.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.3A; 83.3W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 83.3W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPL65R460CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.3A; 83.3W; PG-VSON-4, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 8.3A, Power dissipation: 83.3W, Case: PG-VSON-4, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.46Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPL65R460CFDAUMA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IPL65R460CFDAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
IPL65R460CFDAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPL65R460CFDAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.3A; 83.3W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8.3A Power dissipation: 83.3W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.46Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |