IPL65R310E6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 104W; PG-VSON-4
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
On-state resistance: 0.31Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Case: PG-VSON-4
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPL65R310E6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 104W; PG-VSON-4, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 13.1A, On-state resistance: 0.31Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 104W, Polarisation: unipolar, Case: PG-VSON-4, Mounting: SMD, Technology: CoolMOS™, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPL65R310E6AUMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPL65R310E6AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 4VSON |
товар відсутній |
||
|
|
IPL65R310E6AUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 104W; PG-VSON-4 Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.1A On-state resistance: 0.31Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Case: PG-VSON-4 Mounting: SMD Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |