IPL65R210CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.6A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16.6A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPL65R210CFDAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.6A; 151W; PG-VSON-4, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 16.6A, Power dissipation: 151W, Case: PG-VSON-4, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.21Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPL65R210CFDAUMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPL65R210CFDAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 4VSON |
товар відсутній |
|
 |
IPL65R210CFDAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS |
товар відсутній |
|
|
|
IPL65R210CFDAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16.6A; 151W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16.6A Power dissipation: 151W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |