Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPL65R1K5C6SATMA1
IPL65R1K5C6SATMA1

IPL65R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies

DS_IPL65R1K5C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475d1bcc8e011a Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
540+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 540
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL65R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-2, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPL65R1K5C6SATMA1 за ціною від 33.03 грн до 138.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPL65R1K5C6SATMA1 IPL65R1K5C6SATMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IPL65R1K5C6S_2_0-1225834.pdf MOSFET N-Ch 650V 3A ThinPAK 5x6
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.58 грн
10+ 78.97 грн
100+ 53.42 грн
500+ 45.26 грн
1000+ 36.9 грн
2500+ 34.72 грн
5000+ 33.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPL65R1K5C6SATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPL65R1K5C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475d1bcc8e011a IPL65R1K5C6SATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.14 грн
15+ 72.92 грн
39+ 68.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPL65R1K5C6SATMA1 IPL65R1K5C6SATMA1 Виробник : Infineon Technologies 230ds_ipl65r1k5c6s_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
товар відсутній
IPL65R1K5C6SATMA1 IPL65R1K5C6SATMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IPL65R1K5C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475d1bcc8e011a Description: MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товар відсутній