![IPL65R1K5C6SATMA1 IPL65R1K5C6SATMA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/813/488%3BMKT-PQFN08T%3B%3B8.jpg)
IPL65R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies
![DS_IPL65R1K5C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475d1bcc8e011a](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
540+ | 39.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPL65R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-2, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPL65R1K5C6SATMA1 за ціною від 33.03 грн до 138.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPL65R1K5C6SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPL65R1K5C6SATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IPL65R1K5C6SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPL65R1K5C6SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V |
товар відсутній |