Технічний опис IPL65R165CFDAUMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 21.3A, Power dissipation: 195W, Case: PG-VSON-4, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.165Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції IPL65R165CFDAUMA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPL65R165CFDAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 21.3A Power dissipation: 195W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|
IPL65R165CFDAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||
IPL65R165CFDAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
IPL65R165CFDAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.3A; 195W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 21.3A Power dissipation: 195W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |