![IPL65R130CFD7AUMA1 IPL65R130CFD7AUMA1](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/2443442-40.jpg)
IPL65R130CFD7AUMA1 INFINEON
![3629108.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: INFINEON - IPL65R130CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.101 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 264.13 грн |
50+ | 239.69 грн |
100+ | 214.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPL65R130CFD7AUMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R130CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.101 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 127W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 127W, Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.101ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPL65R130CFD7AUMA1 за ціною від 160.95 грн до 346.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPL65R130CFD7AUMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 127W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.101ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPL65R130CFD7AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPL65R130CFD7AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
IPL65R130CFD7AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPL65R130CFD7AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V |
товар відсутній |