Продукція > INFINEON > IPL65R130CFD7AUMA1
IPL65R130CFD7AUMA1

IPL65R130CFD7AUMA1 INFINEON


3629108.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL65R130CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.101 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 332 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+264.13 грн
50+ 239.69 грн
100+ 214.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL65R130CFD7AUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPL65R130CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.101 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 127W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 127W, Bauform - Transistor: VSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.101ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPL65R130CFD7AUMA1 за ціною від 160.95 грн до 346.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPL65R130CFD7AUMA1 IPL65R130CFD7AUMA1 Виробник : INFINEON 3629108.pdf Description: INFINEON - IPL65R130CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.101 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.101ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+264.13 грн
50+ 239.69 грн
100+ 214.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPL65R130CFD7AUMA1 IPL65R130CFD7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPL65R130CFD7_DataSheet_v02_00_EN-2885784.pdf MOSFETs N
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+346.04 грн
10+ 286.94 грн
25+ 235.46 грн
100+ 201.72 грн
250+ 191.18 грн
500+ 179.93 грн
1000+ 160.95 грн
IPL65R130CFD7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipl65r130cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf N Channel Power Mosfet
товар відсутній
IPL65R130CFD7AUMA1 IPL65R130CFD7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPL65R130CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca703ad8b22fd Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V
товар відсутній
IPL65R130CFD7AUMA1 IPL65R130CFD7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPL65R130CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ca703ad8b22fd Description: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V
товар відсутній