IPL60R199CPAUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 148.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPL60R199CPAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPL60R199CPAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16.4 A, 0.18 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 2A - 4 Wochen, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPL60R199CPAUMA1 за ціною від 130.9 грн до 327.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPL60R199CPAUMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPL60R199CPAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16.4 A, 0.18 ohm, VSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPL60R199CPAUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPL60R199CPAUMA1 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
IPL60R199CPAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 16.4A 4-Pin VSON T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IPL60R199CPAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 16.4A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IPL60R199CPAUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 16.4A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V |
товар відсутній |