Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPL60R125C7AUMA1
IPL60R125C7AUMA1

IPL60R125C7AUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPL60R125C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b448dc78594a Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+153.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL60R125C7AUMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 103W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA, Supplier Device Package: PG-VSON-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPL60R125C7AUMA1 за ціною від 148.44 грн до 329.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPL60R125C7AUMA1 IPL60R125C7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPL60R125C7_DS_v02_01_EN-1731881.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+253.68 грн
10+ 223.6 грн
25+ 193.74 грн
100+ 170.74 грн
500+ 159.59 грн
1000+ 148.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPL60R125C7AUMA1 IPL60R125C7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPL60R125C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b448dc78594a Description: MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+329.44 грн
10+ 266.21 грн
100+ 215.33 грн
500+ 179.63 грн
1000+ 153.81 грн
IPL60R125C7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies 162858300407382dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d462518ffd8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 17A 4-Pin VSON EP T/R
товар відсутній