![IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/48/28/842289/smn_/manual/600v_p7_thinpak_8x8.jpg_472149771.jpg)
IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 142.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPL60R105P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.085 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPL60R105P7AUMA1 за ціною від 141.39 грн до 306.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPL60R105P7AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPL60R105P7AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPL60R105P7AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPL60R105P7AUMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 137W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPL60R105P7AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPL60R105P7AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPL60R105P7AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPL60R105P7AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPL60R105P7AUMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 137W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPL60R105P7AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V |
на замовлення 10238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPL60R105P7AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPL60R105P7AUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 137W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPL60R105P7AUMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 137W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |