IPL60R105P7AUMA1

IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies


infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+142.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPL60R105P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.085 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPL60R105P7AUMA1 за ціною від 141.39 грн до 306.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPL60R105P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebecfd455b39 Description: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+149.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+156.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Виробник : INFINEON 2576635.pdf Description: INFINEON - IPL60R105P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.085 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+189.19 грн
500+ 164.79 грн
1000+ 141.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+206.08 грн
10+ 193.44 грн
25+ 184.69 грн
100+ 170.95 грн
250+ 154.08 грн
500+ 145.29 грн
1000+ 142.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
55+221.93 грн
59+ 208.32 грн
61+ 198.89 грн
100+ 184.1 грн
250+ 165.93 грн
500+ 156.46 грн
1000+ 153.63 грн
Мінімальне замовлення: 55
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
48+254.76 грн
53+ 228.58 грн
100+ 227.57 грн
200+ 214.59 грн
500+ 188.8 грн
Мінімальне замовлення: 48
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPL60R105P7_DS_v02_01_EN-3362485.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 3402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+265.87 грн
10+ 231.62 грн
25+ 198.62 грн
100+ 172.83 грн
250+ 171.44 грн
500+ 159.59 грн
1000+ 146.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Виробник : INFINEON 2576635.pdf Description: INFINEON - IPL60R105P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.085 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+277.54 грн
10+ 218.12 грн
100+ 189.19 грн
500+ 164.79 грн
1000+ 141.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPL60R105P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebecfd455b39 Description: MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
на замовлення 10238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+306.83 грн
10+ 248.28 грн
100+ 200.85 грн
500+ 167.55 грн
1000+ 143.46 грн
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
товар відсутній
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R105P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 137W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R105P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 137W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній