![IPI65R150CFDXKSA1 IPI65R150CFDXKSA1](https://media.digikey.com/Renders/Infineon%20Renders/TO-262-3,%20Long%20Leads.jpg)
IPI65R150CFDXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 12959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI65R150CFDXKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.4A; 195.3W; PG-TO262-3, Mounting: THT, Case: PG-TO262-3, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 22.4A, On-state resistance: 0.15Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 195.3W, Polarisation: unipolar, Technology: CoolMOS™, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPI65R150CFDXKSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPI65R150CFDXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.4A; 195.3W; PG-TO262-3 Mounting: THT Case: PG-TO262-3 Drain-source voltage: 650V Drain current: 22.4A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 195.3W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
IPI65R150CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPI65R150CFDXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPI65R150CFDXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.4A; 195.3W; PG-TO262-3 Mounting: THT Case: PG-TO262-3 Drain-source voltage: 650V Drain current: 22.4A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 195.3W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |