![IPI530N15N3GXKSA1 IPI530N15N3GXKSA1](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_262_3_DSL.jpg)
IPI530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 175.62 грн |
10+ | 156.28 грн |
100+ | 108.72 грн |
500+ | 89.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO262-3, Case: PG-TO262-3, Mounting: THT, Technology: OptiMOS™ 3, Drain-source voltage: 150V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 53mΩ, Power dissipation: 68W, Polarisation: unipolar, Drain current: 21A, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPI530N15N3GXKSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPI530N15N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO262-3 Case: PG-TO262-3 Mounting: THT Technology: OptiMOS™ 3 Drain-source voltage: 150V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 53mΩ Power dissipation: 68W Polarisation: unipolar Drain current: 21A Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
IPI530N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPI530N15N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPI530N15N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO262-3 Case: PG-TO262-3 Mounting: THT Technology: OptiMOS™ 3 Drain-source voltage: 150V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 53mΩ Power dissipation: 68W Polarisation: unipolar Drain current: 21A Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |