IPI45N06S4-09AKSA2

IPI45N06S4-09AKSA2 Infineon Technologies


INFNS14117-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: IPI45N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
на замовлення 97500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
359+60.79 грн
Мінімальне замовлення: 359
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPI45N06S4-09AKSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3-1, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPI45N06S4-09AKSA2 за ціною від 55.37 грн до 142.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPI45N06S409AKSA2 IPI45N06S409AKSA2 Виробник : Infineon Technologies IPx45N06S4-09.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 862830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
331+64.75 грн
Мінімальне замовлення: 331
IPI45N06S409AKSA2 IPI45N06S409AKSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_I45N06S4_09_DS_v01_00_en-3163265.pdf MOSFET MOSFET
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.37 грн
10+ 116.81 грн
100+ 80.41 грн
250+ 74.77 грн
500+ 67.58 грн
1000+ 58.27 грн
2500+ 55.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPI45N06S409AKSA2 IPI45N06S409AKSA2 Виробник : Infineon Technologies ipp_b_i45n06s4-09_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній
IPI45N06S409AKSA2 IPI45N06S409AKSA2 Виробник : Infineon Technologies IPx45N06S4-09.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній