![IPI200N25N3GAKSA1 IPI200N25N3GAKSA1](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/8A/7E/00/00/1/59304_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=4d8892c19926fb193700534beff4a6fcd970f821)
IPI200N25N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
![IPI200N25N3G-DTE.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 88A; 300W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPI200N25N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 88A; 300W; PG-TO262-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 250V, Drain current: 88A, Power dissipation: 300W, Case: PG-TO262-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 20mΩ, Mounting: THT, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IPI200N25N3GAKSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
|
IPI200N25N3GAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
|
IPI200N25N3GAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IPI200N25N3GAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 88A; 300W; PG-TO262-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 88A Power dissipation: 300W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |