Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPI040N06N3GXKSA1
IPI040N06N3GXKSA1

IPI040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies

ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+45.43 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPI040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO262-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPI040N06N3GXKSA1 за ціною від 52.9 грн до 166.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPI040N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+81.5 грн
6+ 66.87 грн
10+ 59.52 грн
16+ 55.84 грн
43+ 52.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPI040N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97.81 грн
4+ 83.32 грн
10+ 71.42 грн
16+ 67.01 грн
43+ 63.49 грн
250+ 60.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+152.61 грн
10+ 122.34 грн
100+ 97.34 грн
500+ 77.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPI040N06N3_G_DS_v02_01_EN-3362814.pdf MOSFET N-Ch 60V 90A I2PAK-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+166.24 грн
10+ 135.47 грн
100+ 94.52 грн
250+ 90.29 грн
500+ 79 грн
1000+ 64.19 грн
5000+ 62.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 Виробник : Infineon Technologies ipb037n06n3g_rev1.01.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній