Продукція > INFINEON > IPG20N10S4L35AATMA1
IPG20N10S4L35AATMA1

IPG20N10S4L35AATMA1 INFINEON

INFN-S-A0000112257-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+66.92 грн
500+ 51.4 грн
1000+ 37.39 грн
2500+ 36.19 грн
5000+ 34.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N10S4L35AATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 43W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 43W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPG20N10S4L35AATMA1 за ціною від 34.85 грн до 121.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : Infineon Technologies 390ipg20n10s4l-35a_ds_1_0.pdffolderiddb3a30431f848401011fcbf221ff04c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
127+95.52 грн
139+ 86.99 грн
171+ 70.77 грн
200+ 63.88 грн
1000+ 52.36 грн
2000+ 46.93 грн
5000+ 45.69 грн
Мінімальне замовлення: 127
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0000112257-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPG20N10S4L35AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 43W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS T2
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 43W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+109.45 грн
10+ 90.69 грн
100+ 66.92 грн
500+ 51.4 грн
1000+ 37.39 грн
2500+ 36.19 грн
5000+ 34.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPG20N10S4L-35A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f7b9310e0a38 Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.59 грн
10+ 90.31 грн
100+ 70.24 грн
500+ 55.87 грн
1000+ 45.51 грн
2000+ 42.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPG20N10S4L_35A_DataSheet_v01_10_EN-3362791.pdf MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.96 грн
10+ 98.58 грн
100+ 66.76 грн
500+ 56.73 грн
1000+ 43.56 грн
2500+ 43.49 грн
5000+ 41.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : Infineon Technologies 390ipg20n10s4l-35a_ds_1_0.pdffolderiddb3a30431f848401011fcbf221ff04c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : Infineon Technologies 390ipg20n10s4l-35a_ds_1_0.pdffolderiddb3a30431f848401011fcbf221ff04c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : Infineon Technologies 390ipg20n10s4l-35a_ds_1_0.pdffolderiddb3a30431f848401011fcbf221ff04c.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPG20N10S4L-35A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f7b9310e0a38 Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 43W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1105pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній