![IPG20N06S2L35AATMA1 IPG20N06S2L35AATMA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/6173/448%7EPPG-TDSON-8-10%7E%7E8.jpg)
IPG20N06S2L35AATMA1 Infineon Technologies
![Infineon-IPG20N06S2L_35A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d4550adaa5193](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 40.91 грн |
10000+ | 37.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPG20N06S2L35AATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 65W, Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPG20N06S2L35AATMA1 за ціною від 38.17 грн до 112.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPG20N06S2L35AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 14710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPG20N06S2L35AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPG20N06S2L35AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPG20N06S2L35AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPG20N06S2L35AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IPG20N06S2L-35AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Part Status: Active |
товар відсутній |