Продукція > INFINEON > IPG20N04S4L11AATMA1
IPG20N04S4L11AATMA1

IPG20N04S4L11AATMA1 INFINEON

IPG20N04S4L-11A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da88014821772fae00b5 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0101 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0101ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0101ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+45.18 грн
500+ 37.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N04S4L11AATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0101 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0101ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 41W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0101ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 41W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPG20N04S4L11AATMA1 за ціною від 32.4 грн до 95.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPG20N04S4L11AATMA1 IPG20N04S4L11AATMA1 Виробник : INFINEON IPG20N04S4L-11A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da88014821772fae00b5 Description: INFINEON - IPG20N04S4L11AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0101 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0101ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 41W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0101ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+84.37 грн
15+ 54.96 грн
100+ 45.18 грн
500+ 37.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPG20N04S4L11AATMA1 IPG20N04S4L11AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPG20N04S4L_11A_DataSheet_v01_10_EN-3362431.pdf MOSFETs N
на замовлення 4834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.94 грн
10+ 64.91 грн
100+ 50.11 грн
500+ 44.42 грн
1000+ 34.65 грн
2500+ 34.09 грн
5000+ 32.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPG20N04S4L11AATMA1 Виробник : Infineon IPG20N04S4L-11A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da88014821772fae00b5
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPG20N04S4L11AATMA1
Код товару: 158575 		IPG20N04S4L-11A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da88014821772fae00b5 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPG20N04S4L11AATMA1 IPG20N04S4L11AATMA1 Виробник : Infineon Technologies 394ipg20n04s4l-11a_ds_1_0.pdffolderiddb3a30431f848401011fcbf221ff04c.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S4L11AATMA1 IPG20N04S4L11AATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPG20N04S4L-11A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da88014821772fae00b5 Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IPG20N04S4L11AATMA1 IPG20N04S4L11AATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPG20N04S4L-11A_DS_1_0.pdf?fileId=5546d4614815da88014821772fae00b5 Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 41W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній