Продукція > INFINEON > IPG20N04S408AATMA1
IPG20N04S408AATMA1

IPG20N04S408AATMA1 INFINEON

Infineon-IPG20N04S4_08A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d4547b3355142 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N04S408AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+87.52 грн
500+ 68.75 грн
1000+ 50.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPG20N04S408AATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPG20N04S408AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 65W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 65W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції IPG20N04S408AATMA1 за ціною від 50.75 грн до 177.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPG20N04S408AATMA1 IPG20N04S408AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPG20N04S4_08A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d4547b3355142 Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.97 грн
10+ 101.62 грн
100+ 80.87 грн
500+ 64.21 грн
1000+ 54.48 грн
2000+ 51.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPG20N04S408AATMA1 IPG20N04S408AATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPG20N04S4_08A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d4547b3355142 Description: INFINEON - IPG20N04S408AATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+148.23 грн
10+ 112.75 грн
100+ 87.52 грн
500+ 68.75 грн
1000+ 50.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPG20N04S408AATMA1 IPG20N04S408AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPG20N04S4_08A-DS-v01_00-en-1359943.pdf MOSFET MOSFET
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.12 грн
10+ 154.38 грн
100+ 110.35 грн
250+ 108.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPG20N04S408AATMA1 IPG20N04S408AATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipg20n04s4-08a_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
IPG20N04S408AATMA1 IPG20N04S408AATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPG20N04S4_08A-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30433d346a2d013d4547b3355142 Description: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній