![IPG16N10S4L61AATMA1 IPG16N10S4L61AATMA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2525/448%3B-P%5EPG-TDSON-8-10%3B-%3B-8.jpg)
IPG16N10S4L61AATMA1 Infineon Technologies
![IPG16N10S4L-61A_Data-Sheet-10-Infineon.pdf?fileId=5546d46147a9c2e401480c1313ea0aaa](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 34.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPG16N10S4L61AATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 29W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPG16N10S4L61AATMA1 за ціною від 31.64 грн до 94.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPG16N10S4L61AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 29W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 16A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 14011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPG16N10S4L61AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPG16N10S4L61AATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |